技术创新一直是我们孜孜不倦的追求和努力，和您分享我们的成就是我们永远的热情。

公司一直致力于模拟/混合信号制程和功率器件/电路制程的开发，如今已经形成了自己独特的 CMOS/ANALOG, BICMOS,RF/Mixed-Signal CMOS,BCD,功率器件和MEMS 工艺平台以及一系列客制化工艺平台。公司在功率模拟工艺技术方面具有核心竞争力，推出的0.8μm/1.0μm UHV BCD工艺解决方案为绿色电源和半导体显示领域的产品开发提供了更加有力的支持。

我们是您永远值得信赖的伙伴！

工艺路线图

BCD

公司为您提供大功率模拟器件工艺解决方案，基于自有的主流工艺平台提供富有竞争力的HV、CDMOS、BCDMOS工艺，满足您对于高效率的电源转换和高电压应用的需求。特有的客制化工艺平台更大限度地为您定制您的工艺，助您获得最大利润。公司的模拟工艺提供多重器件类型，广泛应用于各新兴市场，包括电源管理、LED驱动、汽车电子以及音频电路等。

BCD	0.18μm	0.18μm AB BCD(7V-24V)
		0.18μm DB BCD G2S(7V-80V)
		0.18μm DB BCD G2S(80V-120V)
		0.18μm DB BCD G3(7V-40V)
	0.25μm	0.25μm s-BCD G2(12V-60V)
	0.8μm	0.8μm 700V BCD G3S
		0.8μm 40V Power Analog
	1.0μm	1.0μm 600V HVIC
		1.0μm 60V/120V HV
		1.0μm 25V/40V HV

 

Standard Analog

公司的主流模拟工艺已经成功应用于客户的电源管理、电池充电、小尺寸LED背光产品，包括DC-DC转换、线性调节器、音频功率放大器、调谐和控制电路等。多年的量产经验证明，公司的特色工艺平台和设计服务支持、工艺设计文件包和单元库能够以独一无二的优势为客户提供具有成本效益的主流模拟产品解决方案，同时我们专业的设计服务支持还能够有效提高客户产品的一次流片成功率，缩短客户的设计周期和产品上市时间。

Standard Analog	0.25μm	0.25μm 5V Salicide Analog
	0.35μm	0.35μm 3V/5V Mixed-Signal
	0.5μm/0.35μm	0.5μm/0.35μm 5V Mixed-Signal
		0.5μm/0.35μm 7V LDO

 

Mixed-Signal/RF

公司的模拟信号和RF CMOS工艺与标准的CMOS逻辑工艺完全匹配。基于逻辑工艺平台，我们提供0.18μm/0.16μm/0.153μm和0.13μm/0.11μm线宽的模拟信号和RF CMOS工艺。我们的模拟信号和RF CMOS工艺提供一些增进芯片性能的选项，如Deep N-well、Multiple operating voltages (Vt)、MIM capacitors、High poly resistors、(Ultra Thick Top Metal) Inductors、Varactor。通过使用公司提供的PDK、SPICE、Command files、RC extraction等设计工具，客户可以获得高性能，低成本的设计方案。

Mixed-Signal/RF	0.11μm	0.11μm ULL
		0.11μm e-Flash
	0.153um	0.153μm CMOS EN (5V)
	0.18μm	0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G
		0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G
		0.18μm CMOS EN(3.3V or 5V)
		0.18μm e-Flash